现代汽车在确保作为电流控制开关的功率器件MOSFET方面遇到了困难

图源:BusinessKorea

，伴随着美国半导体供应状况的恶化，现代汽车据称本周早些时候向美国亚利桑那州凤凰城派遣了高管，检查了具体情况。

据BusinessKorea报道，凤凰城是美国半导体企业的聚集地，现代汽车为了确保半导体供应，将与半导体企业进行协商。为解决SiCMOSFET栅氧层界面质量差导致沟道迁移率低，使得沟道开态电阻过高，能源转换效率严重受限的技术瓶颈问题。西安交通大学微电子学院耿莉教授，刘卫华教授团队与西安电子科技大学郝跃院士共同合作，提出一种使用低温超临界二氧化碳或超临界一氧化二氮(SCN2O)流体的低温退火工艺，以提高4H-SiCMOSFET中4H-SiC/SiO2界面的质量。。

现代汽车在确保作为电流控制开关的功率器件MOSFET方面遇到了困难实际上，几乎所有的电子设备，如智能手机，电脑和汽车，都需要这种器件

不像短缺受到很多关注的MCU，MOSFET作为一个基础器件并不昂贵但是，伴随着芯片供应困难的长期化，连这一基础器件也供不应求

由于MOSFET控制电力流，电动汽车比传统内燃机汽车使用更多的MOSFET因此，由于MOSFET供应不足，现代汽车的电气化战略可能会受到影响

业内人士预测，芯片短缺的时间将比预计的更长半导体业界有关人士表示:到今年第三季度很难从根本上解决芯片问题特别是，半导体企业没有对汽车用系统半导体生产设施进行大规模投资

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